Go To Top

МИКРОСКОП JEOL JSM 7800F PRIME

JEOL JSM 7800F sНовейший РЭМ с термополевым катодом JSM-7800F Prime позволяет получать изображение с самым высоким разрешением в мире для данного класса РЭМ, благодаря обновленному, по сравнению с предыдущей моделью JSM-7800F, режиму Gentle Beam (GBSH). Кроме того, максимальный ток пучка в пушке с катодом Шоттки конструкции «In-lens» увеличен с 200 нА до 500 нА.



 

 

Описание

Новейший РЭМ с термополевым катодом JSM-7800F Prime позволяет получать изображение с самым высоким разрешением в мире для данного класса РЭМ, благодаря обновленному, по сравнению с предыдущей моделью JSM-7800F, режиму Gentle Beam (GBSH). Кроме того, максимальный ток пучка в пушке с катодом Шоттки конструкции «In-lens» увеличен с 200 нА до 500 нА.

Более высокая яркость достигается за счет оптимального сочетания электронной пушки конструкции “in-lens” и линз конденсора с низкой аберрацией. Ток зонда от нескольких пикоампер до нескольких десятков нА достижим даже при низком ускоряющем напряжении, за счет эффективного сбора электронов, генерируемых пушкой, что позволяет получать как высокое разрешение, так и картины дифракции отраженных электронов на наноуровне, выполнять высокоскоростное картирование, не переключаясь при этом с минимальной апертуры объективной линзы.

В JSM-7800F PRIME модернизирован также режим подачи напряжения смещения на образец - Gentle Beam (GB). Модернизированный режим (GBSH) позволяет работать с более высокими напряжениями смещения на образце, обеспечивая получение изображения со сверхвысоким разрешением и прекрасным соотношением сигнал-шум даже при низких ускоряющих напряжениях. Также он дает возможность выбрать оптимальное ускоряющее напряжение для работы с различными типами образцов для изучения их морфологии и проведения элементного анализа на наноуровне.


Конструкция JSM-7800F Prime предусматривает 4 вида детекторов, в том числе верхнего детектора электронов (UED), верхнего детектора вторичных электронов (USD), детектора обратно-рассеянных электронов (BED), и нижнего детектора электронов (LED).

Для UED, детектора вторичных и обратно-рассеянных электронов, режим работы может быть изменен, в зависимости от напряжения на энергетическом фильтре, что позволяет выбрать ту или иную энергию электронов для получения изображений с определенным контрастом. USD фиксирует низкоэнергетические электроны, которые были отклонены сеткой фильтра. С помощью детектора BED можно наблюдать эффект каналирования, фиксируя отраженные электроны, вылетающие из образца под высокими или низкими углами. Детектор LED позволяет получать 3D-изображения, в том числе - информацию о шероховатости поверхности.

Спецификации

Аппаратная часть

Разрешение

Ускоряющее напряжение 

0,7 нм(15 кВ)
0,7 нм(1 кВ)
3,0 нм (5 кВ, WD10мм, 5 нА)

10 В - 30 кВ

Увеличение

Ток пучка

x25- x1 000 000

1 пА - 500 нА

Линза, оптимизирующая угол вхождения пучка в диафрагму

Энергетический фильтр

Встроена по умолчанию 

Доступен в базовой комплектации

Предметный столик

Диапазон перемещений 

Эвцентрический гониометрический столик
Моторизованный по 5-ти осям

X: 70 мм, Y: 50мм
Наклон: от -5° до 70°
Вращение: 360°

Диапазон рабочих отрезков

Вакуумный шлюз

от 2мм до 41мм

Входит в базовую комплектацию

Режим торможения пучка «Gentle Beam»

Вакуумная система

 

Входит в базовую комплектацию

Сорбционно-ионный насос (SIP) – 2 шт.
Турбомолекулярный насос (TMP)
Форвакуумный насос (RP)

Детекторы

Контролируемое давление в камере образцов при работе в низковакуумном режиме

Верхний детектор электронов (UED)
Нижний детектор вторичных электронов (LED)
Верхний детектор вторичных электронов (USD)
Детектор отраженных электронов для малых рабочих отрезков (BED)

10 - 300 Па

Энергопотребление

Устанавливаемые опции

При нормальной работе – 1,3 кВА
В режиме ожидания – 0,8 кВА

Энергодисперсионный спектрометр

Спектрометр с дисперсией по длинам волн
Система дифракции отраженных электронов
Система катодолюминесценции
Наноманипуляторы
Детектор тока, индуцированного пучком (EBIC)

 

 

ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ

...

a-tex17 234x60 uch